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| 用激光热处理制作新结构微电子电路 | |
| 引用本文： | H.Vogt,王尚铎.用激光热处理制作新结构微电子电路[J].激光与红外,1987(10). |
| 作者姓名： | H.Vogt 王尚铎 |
| 摘 要： | 一、激光引起的热结构变化图1所示是MOS晶体管横截面。在P~-型基本掺杂的单晶硅中,嵌入了两个扩散区即具有重n~ 掺杂的源和漏。源与漏间可经门感应电子导电沟道。沟道流子数从而源与漏间的电流受门上控制电压的影响。门通过薄的门氧化物与硅分开。缩小MOS晶体管的比例理论表明,除门氧化物薄(小到10nm)外,还要求掺杂的源和漏区域的掺杂深度很小(约100～200nm)。这样,硅工作中出现的电场就能维持在一定的限度内,同时确保晶体管的功能可靠。硅的掺杂在新工艺中通过离子注入产生。硅中n掺杂的P、As、Sb料和P掺杂的B料 |
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