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| 含N薄栅介质的电离辐照及退火特性 | |
| 引用本文： | 张国强,陆妩,余学锋,郭旗,任迪远,严荣良.含N薄栅介质的电离辐照及退火特性[J].半导体学报,1999,20(5):437-440. |
| 作者姓名： | 张国强 陆妩 余学锋 郭旗 任迪远 严荣良 |
| 作者单位： | 中国科学院新疆物理研究所 |
| 摘 要： | 对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中Ｎ的引入，能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生，减少初始固定正电荷和界面态，减小辐照后界面陷阱的退火速率．用一定模型解释了实验结果． |
| 关 键 词： | MOS器件 电离辐照 N薄栅介质 退火 |
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