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| 掺Cr-Te半绝缘(SI)GaAs 的某种特性 | |
| 引用本文： | 马碧春,王永鸿,王惠林.掺Cr-Te半绝缘(SI)GaAs 的某种特性[J].稀有金属,1982(6). |
| 作者姓名： | 马碧春 王永鸿 王惠林 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究总院，冶金部有色金属研究总院，冶金部有色金属研究总院 |
| 摘 要： | 一引言离子注入工艺具有成本低,制作的器件参数重复性好,均匀性好等优点,已被应用于器件制作工艺中,并成为制备高频高速集成电路的基础。国外,GaAs FET生产中 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |