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ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构
引用本文:朱健民,朱信华,杨科,刘治国,都有为,邢定钰,李齐,冯端. ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料中的隧道磁电阻效应与微结构[J]. 电子显微学报, 2002, 21(3): 279-282
作者姓名:朱健民  朱信华  杨科  刘治国  都有为  邢定钰  李齐  冯端
作者单位:南京大学固体微结构物理国家重点实验室,物理系,江苏,南京,210093
摘    要:在具有纳米绝缘层的多晶锌铁氧体体系中,当晶界为α-Fe2O3纳米量级的绝缘层时,则构成(ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3非均匀体,电子显微分析证实了这种微结构。该体系在0.5T磁场、4.2K温度下,磁电阻效应可达1280%,300K下为158%。

关 键 词:ZnxFe3-xO4-α-Fe2O3 纳米多晶材料 隧道磁电阻效应 锌铁酸盐 透射电子显微镜

Microstructures and TMR properties of nano polycrystalline
Abstract. Microstructures and TMR properties of nano polycrystalline[J]. Journal of Chinese Electron Microscopy Society, 2002, 21(3): 279-282
Authors:Abstract
Abstract:Giant tunneling magnetoresistance (TMR) effect as large as 1280% at 4 2K and 15M and SAED as well as HREM. The huge TMR is attributed to the high spin polarizaith a huge TMR at room temperature, which is interesting to be further studied in the future.
Keywords:tunneling magnetoresistance effect  zinc ferrite  TEM
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