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高速接口引发ESD保护元件革新
引用本文:伊藤大贵,孙宁.高速接口引发ESD保护元件革新[J].电子设计应用,2006(9):73-77,86.
作者姓名:伊藤大贵  孙宁
作者单位:<日经电子>编辑部
摘    要:据意法半导体MPA产品部产品营销科长吉野善晴介绍:“由于设计设备时必须考虑的防ESD措施发生了变化,自2005年秋天起,开发平板电视的技术人员不断表示希望能使用静电电容较低的元件。”由于元件本身的静电电容会导致信号波形失真,因此越来越多的设备设计人员表示,传统的ESD保护元件将会逐渐无法继续使用(见图1)。为了避免信号失真,必须使用静电电容低于现有产品(3pF~5pF)的ESD保护元件。随着对低静电电容ESD保护元件需求的增加,松下电子元器件及意法半导体等器件厂商自2006年起相继推出静电电容低于1pF的ESD保护元件(见表1)。

关 键 词:保护元件  ESD  高速接口  静电电容  意法半导体  电子元器件  革新  产品营销  信号波形失真  设计人员
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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