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沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响
引用本文:龚恒翔,阎志军,杨映虎,王印月.沉积条件对RF反应溅射多晶ZnO薄膜结构的影响[J].功能材料与器件学报,2000,6(4):428-431.
作者姓名:龚恒翔  阎志军  杨映虎  王印月
作者单位:兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000
基金项目:国家自然科学基金!资助项目 (No .698760 17)
摘    要:采用RF反应溅射法在Si(111)、玻璃衬底上制备了具有良好C轴承向的多晶ZnO薄膜。用XRD分析了沉积条件(衬底温度、工作气体中的氧与氩气压比和衬底种类)对样品结构的影响,发现(1)薄膜的取向性随着衬底温或高而增强,超过400℃后薄膜质量开始变差;(2)工作气体中氧与氩气压比(Po2/PAr)为2:3时,薄膜取向性最好;(3)薄膜晶粒尺寸11-34nm,相同沉积条件下,单晶硅衬底样品(002)衍

关 键 词:ZnO薄膜  RF反应溅射  沉积条件  择优取向
修稿时间:2000-07-14

Effect of deposition condition on structure of RF reactively sputtered polycrystalline ZnO films
GONG Heng-xiang,YAN Zhi-jun,YANG Ying-hu,WANG Yin-yue.Effect of deposition condition on structure of RF reactively sputtered polycrystalline ZnO films[J].Journal of Functional Materials and Devices,2000,6(4):428-431.
Authors:GONG Heng-xiang  YAN Zhi-jun  YANG Ying-hu  WANG Yin-yue
Abstract:
Keywords:ZnO films  RF reactively sputtering  Preferred orientation  
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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