| 分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究 |
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| 引用本文： | 滕达,庄蔚华,梁基本,李玉璋.分子束外延GaAs/Si应变层的光致发光和光反射谱研究[J].半导体学报,1990,11(7):515-520. |
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| 作者姓名： | 滕达 庄蔚华 梁基本 李玉璋 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 北京
(滕达，庄蔚华，梁基本)，中国科学院半导体研究所 北京(李玉璋) |
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| 摘 要： | 研究了分子束外延GaAs/Si光致发光谱的激发强度和温度依赖关系。确定出2个本征发光峰,分别对应于导带至m_J=±3/2和m_J=±1/2价带的复合。这种价带的移动和分裂归因于由GaAs和Si的热膨胀系数不同所引起的GaAs层双轴张应力。还观测到4个非本征发光峰,分别为导带至m_J=±1/2碳受主态发光、可能与缺陷有关的发光以及可能由Mn和Cu受主杂质引起的发光。室温下将GaAs/Si和GaAs/GaAs材料的光反射谱进行比较,前者明显向低能移动约8meV,观测到3个特征谱结构,与光致发光结果相一致。
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| 关 键 词： | GaAs／Si 光反射谱 光致发光 |
Photoluminescence and Photoreflectance of GaAs on (100) Si Grown by Molecular Beam Epitaxy |
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| Teng Da/Institute of Semiconductors,Academia Sinica
Zhuang Weihua/Institute of Semiconductors,Academia Sinica
Liang Jiben/Institute of Semiconductors,Academia Sinica
Li Yuzhang/Institute of Semiconductors,Academia Sinica.Photoluminescence and Photoreflectance of GaAs on (100) Si Grown by Molecular Beam Epitaxy[J].Chinese Journal of Semiconductors,1990,11(7):515-520. |
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| Authors: | Teng Da/Institute of Semiconductors Academia Sinica
Zhuang Weihua/Institute of Semiconductors Academia Sinica
Liang Jiben/Institute of Semiconductors Academia Sinica
Li Yuzhang/Institute of Semiconductors Academia Sinica |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaAs/Si Photoluminescence Photoreflectance |
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