SiGe HBT小信号和大信号建模与分析北大核心CSCD |
| |
引用本文: | 孟煜晗何庆国.SiGe HBT小信号和大信号建模与分析北大核心CSCD[J].半导体技术,2016(7):520-526. |
| |
作者姓名: | 孟煜晗何庆国 |
| |
作者单位: | 1.中国电子科技集团公司第十三研究所050051; |
| |
摘 要: | 基于异质结双极晶体管(HBT)优良的微波特性,精确建模对使用该类器件进行电路设计具有重要的意义。介绍了HBT所具有的独特优越性,采用Gummel-Poon等效电路模型对常用HBT进行了小信号和大信号模型的建立,加入了寄生电感等效衬底寄生参数,测试了SiGe HBT在不同偏置下的S参数及I-V特性曲线,利用半解析方法分析了非线性模型的参数提取,讨论了本征参数和寄生参数的拟合优化。给出了关于HBT大信号和小信号等效电路模型,对比实测参数进行验证,建立模型在测试频率范围内拟合结果和测试结果吻合良好。
|
关 键 词: | SiGe 异质结双极晶体管(HBT) 建模 大小信号 参数提取 |
本文献已被 维普 等数据库收录! |
|