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| 富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品 | |
| 摘 要： | 富士通半导体(上海)有限公司宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可 |
| 关 键 词： | 功率器件 半导体 富士通 品质因数 耐压 氮化镓 芯片 硅衬底 电源组件 产品 |
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