低Rds(on)P沟道技术 |
| |
作者姓名: | PrasadVenkatraman |
| |
作者单位: | 安森美半导体 |
| |
摘 要: | 功率MOSFET常用于便携和无线产品中,其应用包括电池保护、负载管理和DC-DC转换等。对于这些应用,功率MOSFET最重要的特性便是其漏极-源极导通电阻Rds(on)。Rds(on)较小的功率MOSFET能够延长电池寿命,提高功率转化效率。同时,便携产品(如手机以及PDA等)的尺寸也在缩小,因此需要减小功率MOSFET的封装尺寸。近年来,为同时减小Rds(on)和封装尺寸,生产这些功率MOSFET的硅技术有了很大的改进,功率MOSFET是典型的立式器件,漏极位于芯片的底部,源极和栅极位于上部表面。功率MOSFET经两次扩散过程制成,先进行一次体…
|
关 键 词: | 功率MOSFET 导通电阻 立式器件 低Rds(on)P沟道技术 |
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录! |
|