| 柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应 |
| |
| 引用本文： | 苏鼎,张万里,蒋洪川,汤如俊,彭斌.柔性FeCoSiB非晶磁弹性薄膜的应力阻抗效应[J].功能材料与器件学报,2008,14(5). |
| |
| 作者姓名： | 苏鼎 张万里 蒋洪川 汤如俊 彭斌 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金，国防科技预研项目 |
| |
| 摘 要： | 采用直流磁控溅射方法在柔性Kapton基片上沉积了FeCoSiB薄膜,研究了偏置磁场、溅射气压以及测试频率对薄膜应力阻抗效应的影响规律.结果表明,本文中优化的溅射气压为1.5 Pa,强的偏置磁场可形成强的横向各向异性,从而显著提高材料的应力阻抗效应.随着测试频率从0.1MHz升高到30 MHz,薄膜的应力阻抗效应显著增强.
|
| 关 键 词： | 柔性基底 FeCoSiB非晶磁弹性薄膜 应力阻抗效应 |
Stress impedance effects of FeCoSiB films deposited on flexible substrates |
| |
| SU Ding,ZHANG Wan-li,JIANG Hong-chuan,TANG Ru-jun,PENG Bin.Stress impedance effects of FeCoSiB films deposited on flexible substrates[J].Journal of Functional Materials and Devices,2008,14(5). |
| |
| Authors: | SU Ding ZHANG Wan-li JIANG Hong-chuan TANG Ru-jun PENG Bin |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
