|
|||||
|
|
| 优质Si3N4,SiO2双层介质膜的研究 | |
| 引用本文： | 李春瑛,张玉平.优质Si3N4,SiO2双层介质膜的研究[J].半导体技术,1997(1):45-49. |
| 作者姓名： | 李春瑛 张玉平 |
| 作者单位： | [1]国家标准物质研究所 [2]北京西门子电器有限公司 |
| 摘 要： | 报导了等离子体化学气相沉积法在锑化铟衬底上生长Ｓｉ３Ｎ４和ＳｉＯ２双层介质膜的实验技术。并用理化分析对膜层的物理化学性质进行了分析，给出了实验研究结果，提出了这种工艺在红外探测器制备工艺中应用的可能性。 |
| 关 键 词： | 介质膜 PECVD 半导体器件 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |