采用局部分子束外延技术的HEMT—HBT集成

介绍微波电路中单片集成ＨＥＭＴ和ＨＢＴ的器件结构及其电学特性，采用ＨＥＭＴ－ＨＢＴ混合工艺的局部分子束外延技术，其器件特性与一工艺的ＨＥＭＴ和ＨＢＴ基本相同。