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| FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究 | |
| 引用本文： | 熊大菁.FLOTOX—E^2PROM阈值电压的研究[J].半导体技术,1997(3):20-24. |
| 作者姓名： | 熊大菁 |
| 作者单位： | 清华大学微电子所 |
| 摘 要： | 本文讨论了理想情况下ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ在斜坡脉冲作用下的阈值电压变化，并对隧道氧化层中存在净电荷时的情况作了讨论。模拟结果表明适当的斜坡脉冲电压可处ＦＬＯＴＯＸ结构Ｅ＾２ＰＲＯＭ的寿命。 |
| 关 键 词： | FLOTOX 存储器 电可擦写存储器 阈值电压 |
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