| 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究 |
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| 引用本文： | 刘岩,陈伟,杨善潮,齐超,王桂珍,林东生,郭晓强,金军山. 中子辐照后CMOS工艺静态随机存储器瞬时电离辐射翻转效应实验研究[J]. 原子能科学技术, 2014, 48(Z1) |
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| 作者姓名： | 刘岩 陈伟 杨善潮 齐超 王桂珍 林东生 郭晓强 金军山 |
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| 作者单位： | 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安,710024 |
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| 摘 要： | 对0.15μm特征尺寸CMOS工艺商用静态随机存储器(SRAM)开展了中子辐照后的瞬时电离辐射效应实验研究,获得了中子辐照后SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律,并与未经中子辐照SRAM器件的瞬时剂量率翻转效应规律进行对比。结果表明:中子辐照能有效提高CMOS工艺SRAM器件的瞬时剂量率翻转阈值,中子辐照引起的少数载流子的寿命降低是产生这种现象的主要原因。
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| 关 键 词： | 翻转效应 翻转阈值 中子辐照 SRAM |
Experimental Research of Transient Ionizing Upset Effect on Neutron Irradiated CMOS SRAM |
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| Keywords: | upset effect upset threshold neutron irradiation SRAM |
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