| EEPROM瞬时剂量率效应实验研究 |
| |
| 引用本文： | 王桂珍,齐超,林东生,白小燕,杨善潮,李瑞宾,刘岩,金晓明.EEPROM瞬时剂量率效应实验研究[J].原子能科学技术,2014,48(Z1). |
| |
| 作者姓名： | 王桂珍 齐超 林东生 白小燕 杨善潮 李瑞宾 刘岩 金晓明 |
| |
| 作者单位： | 西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,陕西西安,710024 |
| |
| 摘 要： | 对3种不同容量的EEPROM开展了"强光一号"瞬时剂量率效应实验研究,测量电路的剂量率闩锁特性、高剂量率辐照下的数据保持能力及电路功能。辐照前,利用编程器在EEPROM中全地址写入55H,加电辐照,测量辐照后的电源电流;辐照后,再利用编程器对EEPROM的存储数据及读写功能进行测量。研究结果表明:EEPROM在瞬时辐照下,主要表现为外围电路的剂量率闩锁效应;在1.0×109 Gy(Si)/s的高剂量率辐照下,3种电路存储的数据保持完好,未发生变化,存储器的擦除、编程及读出功能正常。给出了3种EEPROM电路的剂量率闩锁阈值,并对EEPROM的瞬时剂量率效应特点进行了分析。
|
| 关 键 词： | 浮栅器件 EEPROM 剂量率闩锁 闩锁阈值 |
Test Study on Transient Dose Rate Effect of EEPROM |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | floating gate device EEPROM dose rate latchup latchup level |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
|
