MoO_x缓冲层对backwall型超薄CdTe太阳电池性能的模拟

采用SCAPS模拟软件对backwall型结构(glass/ITO/MoO_x/CdTe/CdS/SnO_2/Ag)的超薄CdTe太阳电池的性能进行了模拟研究。在backwall型超薄CdTe电池中,CdTe吸收层为迎光面,入射光从CdTe层进入,而非经典CdTe电池结构中的CdS层,避免了CdS层对短波段的吸收,提高了短波段光子的响应。添加MoO_x缓冲层后,降低了ITO与CdTe层间的接触势垒,同时,形成了电子反射层,还降低了电子与空穴的复合几率。因此,这一结构不仅提高了电池的短路电流密度(J_(sc)),还将电池的开路电压(V_(oc))提高到了1V以上。在模拟中当MoO_x缓冲层为2nm时,有赖于较理想的ITO功函数和界面复合速率,得到了最高效率达25.5%的超薄CdTe太阳电池。