单晶硅太阳电池最高转换效率的模拟预测

利用AFORS-HET软件模拟单晶硅异质结太阳电池的性能,实验完成后显示当加大发射层的厚度后,电池的短波响应会减弱,短路电流也会随之减小。缓冲层厚度不大于30 nm时,电池的优劣波动很大。没有放入单晶硅异质时,效果很差;然而将本征非晶缓冲层放入非晶硅/单晶硅异质结界面处后,提高了电池效率。由该软件模拟的a-Si/i-a-Si:H/c-Si/i-a-Si:H/n+a-Si双面异质结太阳电池的转换效率最高会达到32.16%。