CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究 |
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引用本文: | 左延田,吴刚. CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究[J]. 化工装备技术, 2010, 31(3): 41-44 |
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作者姓名: | 左延田 吴刚 |
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作者单位: | 上海市特种设备监督检验技术研究院 |
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摘 要: | 互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon,简称CMOS)X射线图形探头诞生,该产品的技术专利来自美国NASA宇航中心喷气推进室。上海市特种设备监督检验技术研究院在2004年引进该项设备,并开展CMOS X射线实时成像系统在薄壁承压设备检验检测领域的技术开发、研究和应用。
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关 键 词: | CMOS X射线 实时成像 薄壁压力管道 试验焊缝 探伤 |
CMOS -X-radial imaging technique be used in thin-wall pressure pipe defect detection |
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Abstract: | |
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Keywords: | CMOS |
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