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CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究
引用本文:左延田,吴刚. CMOSX射线实时成像技术在薄壁压力管道焊缝探伤中的试验研究[J]. 化工装备技术, 2010, 31(3): 41-44
作者姓名:左延田  吴刚
作者单位:上海市特种设备监督检验技术研究院
摘    要:互补金属氧化硅(complementary metal oxide silicon,简称CMOS)X射线图形探头诞生,该产品的技术专利来自美国NASA宇航中心喷气推进室。上海市特种设备监督检验技术研究院在2004年引进该项设备,并开展CMOS X射线实时成像系统在薄壁承压设备检验检测领域的技术开发、研究和应用。

关 键 词:CMOS  X射线  实时成像  薄壁压力管道  试验焊缝  探伤

CMOS -X-radial imaging technique be used in thin-wall pressure pipe defect detection
Abstract:
Keywords:CMOS
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