| 采用界面薄层氧化硅的硅片直接键合技术研究 |
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| 引用本文： | Wang Xiaoqing,Yu Yude,Ning Jin. 采用界面薄层氧化硅的硅片直接键合技术研究[J]. 半导体学报, 2016, 37(5): 056001-4. DOI: 10.1088/1674-4926/37/5/056001 |
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| 作者姓名： | Wang Xiaoqing Yu Yude Ning Jin |
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| 基金项目： | Project supported by the Key Program of the National Natural Science Foundation of China;and the National Natural Science Foundation of China |
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| 摘 要： | 本文研究了采用界面薄层氧化硅的硅片直接键合技术。利用原子力显微镜（AFM）和剪切力测试分别表征表面粗糙度和键合强度随着薄层氧化硅厚度的变化情况。对比了采用热氧化和等离子体增强化学气相沉积法（PECVD）两种方法对晶片粗糙度及键合强度的影响。结果表明采用热氧化和PECVD沉积薄层氧化硅做硅片直接键合，键合强度分别可以达到18MPa和8MPa，键合强度随着薄层界面氧化硅厚度的增加而下降，这对于MEMS器件制备及其他硅片直接键合的应用都具有十分重要的指导意义。
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| 关 键 词： | wafer direct bonding surface roughness bonding strength |
| 收稿时间： | 2015-08-13 |
| 修稿时间： | 2015-09-16 |
Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer |
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| Wang Xiaoqing,Yu Yude,Ning Jin. Researching the silicon direct wafer bonding with interfacial SiO2 layer[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2016, 37(5): 056001-4. DOI: 10.1088/1674-4926/37/5/056001 |
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| Authors: | Wang Xiaoqing Yu Yude Ning Jin |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | wafer direct bonding surface roughness bonding strength |
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