| CH3NH3PbI3/p-Si异质结的光电特性研究 |
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| 作者姓名： | Wu Yamei Yang Ruixi Tian Hanmin Chen Shuai |
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| 基金项目： | 河北省自然科学基金资助项目；天津市自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 利用一步溶液法在p型Si衬底上生长有机/无机杂化钙钛矿CH3NH3PbI3薄膜,构成CH3NH3PbI3/p-Si异质结。利用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜形貌和结构进行表征,通过无光照和有光照条件下的电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)测试对异质结的光电特性进行研究。I-V测试结果显示CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有整流特性,正反偏压为±5V时,整流比大于70,并在此异质结上观察到了光电转换现象,开路电压为10mV,短路电流为0.16uA。C-V测试结果显示Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结具有与MIS(金属-绝缘层-半导体)结构相似的C-V特性曲线,与理想MIS的C-V特性曲线相比,异质结的C-V曲线整体沿电压轴向正电压方向平移。C-V特性曲线的这种平移表明Ag/CH3NH3PbI3/p-Si异质结界面存在界面缺陷,CH3NH3PbI3层也可能存在固定电荷。这种界面缺陷是导致CH3NH3PbI3/p-Si异质结开路电压的大幅度降低的重要原因。此外,CH3NH3PbI3薄膜的C-V测试结果显示其具有介电非线性特性,其介电常数约为4.64。
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| 关 键 词： | perovskite solar cells heterojunction CH3NH3PbI3/p-Si I-V C-V |
| 收稿时间： | 2015/7/25 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2015/11/9 0:00:00 |
Photoelectric characteristics of CH3NH3PbI3/p-Si heterojunction |
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| Wu Yamei,Yang Ruixi,Tian Hanmin,Chen Shuai.Photoelectric characteristics of CH3NH3PbI3/p-Si heterojunction[J].Chinese Journal of Semiconductors,2016,37(5):053002-5. |
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| Authors: | Wu Yamei Yang Ruixia Tian Hanmin Chen Shuai |
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| Affiliation: | Hebei University of Technology, Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, Tianjin 300400, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | perovskite solar cells heterojunction CH3NH3PbI3/p-Si I-V C-V |
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