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杂志ISSN号
微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术
引用本文:
胡刚毅.微电子器件的抗辐射加固和高可靠技术[J].微电子学,2003,33(3):224-231.
作者姓名:
胡刚毅
作者单位:
中国电子科技集团公司第二十四研究所 重庆 400060
摘 要:
介绍了微电子器件的辐射效应和器件制作材料、电路设计、器件结构、制作工艺、元件之间的隔离、预辐射等加固技术,及微电子器件加固水平;并扼要介绍了微电子器件的耐高温和耐冲击与振动等高可靠技术。
关 键 词:
微电子器件
辐射效应
辐射加固
可靠性技术
抗辐射能力
文章编号:
1004-3365(2003)03-0224-08
修稿时间:
2002年12月18
Radiation Hardening and Reliability Technologies for Microelectronic Devices
Abstract:
Keywords:
Microelectronic device
Radiation effect
Radiation hardening
Reliability technology
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