| SiGe BiCMOS技术发展现状 |
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| 引用本文： | 王飞,许军,刘道广. SiGe BiCMOS技术发展现状[J]. 微电子学, 2006, 36(5): 540-547 |
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| 作者姓名： | 王飞 许军 刘道广 |
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| 作者单位： | 1. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084
2. 清华大学,微电子学研究所,北京,100084;模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 摘 要： | 以通讯领域的需求和技术发展为背景,介绍了SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术的发展历程。总结了SiGe HBT器件在器件结构和工艺步骤上的共同点。以IBM公司0.5μmSiGe BiCMOS为例,介绍了SiGe BiCMOS典型工艺步骤,分析了BDG和BAG两种工艺集成方式在不同技术节点上应用的利弊。最后,以捷智半导体和IBM产品线为例,对SiGe HBT器件以及SiGe BiCMOS技术划分技术节点。
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| 关 键 词： | SiGeHBT BiCMOS 无线通讯 |
| 文章编号： | 1004-3365（2006）05-0540-08 |
| 收稿时间： | 2006-04-29 |
| 修稿时间： | 2006-04-292006-08-02 |
Current Status and Future Trends of SiGe BiCMOS Technology |
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| WANG Fei,XU Jun,LIU Dao-guang. Current Status and Future Trends of SiGe BiCMOS Technology[J]. Microelectronics, 2006, 36(5): 540-547 |
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| Authors: | WANG Fei XU Jun LIU Dao-guang |
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| Affiliation: | 1. Institute of Microelectronics , Tsinghua University, Beij ing 100084; 2. National Laboratory of Analog ICs ; Sichuan Institute of Solid-State Circuits, CETC, Chongqing 400060, P. R, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiGe HBT BiCMOS Wireless communication |
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