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| VLSI时代CZ硅单晶工艺的新课题 | |
| 作者姓名： | 宋大有 |
| 摘 要： | VLSI 用硅片几乎全部由 CZ 法(切克芬斯基法)制备。CZ 法硅单晶中将有来自石英坩埚的氧混入,故可以利用 IG 效应。所以,用 CZ 法能否在拉制的长度方向上和截面内把氧含量控制在一定范围内,是个关键。当前 CZ 硅单晶的主要研究方向有如下几点: |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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