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| 磁阻式薄膜磁头中的磁畴活动及其对读出性能的影响 | |
| 引用本文： | 余晋岳,叶伟春,魏福林.磁阻式薄膜磁头中的磁畴活动及其对读出性能的影响[J].新电脑,1996(5). |
| 作者姓名： | 余晋岳 叶伟春 魏福林 |
| 作者单位： | 上海交通大学信息存储研究中心，兰州大学磁性材料研究所 |
| 摘 要： | 本文从磁阻（ＭＲ）磁头的实际结构出发观察并分析了传感器高度为３—６μｍ（形状比大于５０／１）的磁头，在反磁化过程中碰畴结构的变化过程，特别注意了传感器和引线联结处钩形畴的不可逆活动过程，并直接观察了磁畴的活动对输出信号的影响。 |
| 关 键 词： | 磁阻磁头，反磁化，磁畴结构，畴壁 |
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