| GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量 |
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| 引用本文： | 孙伟,田小建,孙建国,衣茂斌,张慕义,张玉清,马振昌. GaAs单片集成激光器驱动电路在片测量[J]. 半导体学报, 2000, 21(10): 1010-1013 |
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| 作者姓名： | 孙伟 田小建 孙建国 衣茂斌 张慕义 张玉清 马振昌 |
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| 作者单位： | [1]吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室吉林大 [2]河北半导体研究所 |
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| 摘 要： | 用多触头微波探针 ,对 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片进行了在片测试和筛选 ,测得芯片频率响应带宽为 3.8GHz.使用高速增益开关半导体激光器作为采样光脉冲源 ,采用了背面直接采样方式建立了电光采样测试仪 .检测了 Ga As单片集成激光器驱动电路芯片内部点的高速电信号波形 .
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| 关 键 词： | 电光采样 在片测量 单片集成电路 增益开关激光器 微波探针 |
| 文章编号： | 0253-4177(2000)10-1010-04 |
| 修稿时间： | 1999-09-03 |
On-Wafer Testing of GaAs Monolithic Integrated Laser-Diode Driver |
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| SUN Wei,TIAN Xiao|jian,SUN Jian|guo and YI Mao|bin. On-Wafer Testing of GaAs Monolithic Integrated Laser-Diode Driver[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2000, 21(10): 1010-1013 |
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| Authors: | SUN Wei TIAN Xiao|jian SUN Jian|guo YI Mao|bin |
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| Abstract: | The multi|contact microwave wafer probe has been used for on wafer testing and sifting of GaAs monolithic integrated laser diode driver.Using semiconductor laser, electro|optic sampling analyzer,with back side probing geometry,is set up.High|speed electric signals were measured,which are at internal points in the chip of GaAs monolithic integrated laser|diode driver. |
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| Keywords: | electro|optic sampling on|wafer test monolithic integrated circuit gain|switched laser microwave probe |
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