工业纯α－Ti氢处理产生的微观缺陷及其作用

用正电子湮没、ＴＥＭ和金相方法研究了不同程度氢处理的工业纯α－Ｔｉ产生的微观缺陷及其作用。实验结果表明：渗氢后材料内缺陷数量远大于除氢后材料内的缺陷数量，当渗氢量为０．５８％时，渗氢后材料内的缺陷主要是位错；随氢含量增加，单空位的数量也随之增加；当氢含量达２．１１％时，其缺陷主要是单空位，或者是其自由体积相当于单空位的点缺陷（如晶界、相界上存在的严重畸变区）。ＴＥＭ和金相观察表明，渗氢后位错存在于α－Ｔｉ基体中。除氢后晶粒明显细化。适当的渗氢量引进的微观缺陷，在除氢后可使晶粒细化而且等轴性高。