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SiC/BN层状陶瓷的阻力曲线行为
引用本文:李冬云,乔冠军,金志浩. SiC/BN层状陶瓷的阻力曲线行为[J]. 中国有色金属学报, 2003, 13(4): 944-948
作者姓名:李冬云  乔冠军  金志浩
作者单位:西安交通大学,材料科学与工程学院材料强度国家重点实验室,西安,710049
摘    要:利用压痕一强度法测定了SiC/BN层状陶瓷的阻力曲线行为,并与SiC单相陶瓷做对比。结果表明:2种材料均呈现出上升阻力曲线行为,其中,SiC/BN层状陶瓷显示出更为优越的抗裂纹扩展能力,其阻力曲线上升较陡,上升幅度较大;SiC单相陶瓷的阻力曲线上升较缓且上升幅度较小。分析认为,这与其不同的增韧机制有关。原位增韧是SiC单相材料韧性提高的主要原因,而裂纹遇到弱界面时发生偏转、分叉、脱层等是层状陶瓷材料抗裂纹扩展能力提高的主要原因。

关 键 词:SiC/BN层状陶瓷 阻力曲线 压痕-弯曲强度法 碳化硅陶瓷
文章编号:1004-0609(2003)04-0944-05
修稿时间:2002-08-23

R-curve behavior of SiC/BN laminated ceramic
Abstract:
Keywords:laminated ceramics  resistance curve  indentation-strength in bending method  
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