| 台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究 |
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| 引用本文： | 许军,周文益,刘佑宝,黄敞. 台面型自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的工艺研究[J]. 微电子学与计算机, 1993, 0(10) |
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| 作者姓名： | 许军 周文益 刘佑宝 黄敞 |
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| 作者单位： | 骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所，骊山微电子学研究所 陕西 临潼 710600，陕西 临潼 710600，陕西 临潼 710600，陕西 临潼 710600 |
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| 摘 要： | 本文提出了一种台面型全自对准结构AlGaAs/GaAs HBT的制造方案,对其中的欧姆接触金属系统的制备.AlGaAs/GaAs材料的选择性腐蚀及聚酰亚胺的反应离子刻蚀终点监控等关键工艺技术进行了研究。并给出了应用该工艺研制的HBT器件的初步结果.
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| 关 键 词： | 自对准结构 HBT 器件工艺 |
Mesa-Type AlGaAs/GaAs HBT''''s Fabricated by a Fully Self-Aligned Process |
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| Xu Jun,Zhou Wenyi,Liu Youbao,Huang Chang. Mesa-Type AlGaAs/GaAs HBT''''s Fabricated by a Fully Self-Aligned Process[J]. Microelectronics & Computer, 1993, 0(10) |
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| Authors: | Xu Jun Zhou Wenyi Liu Youbao Huang Chang |
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| Abstract: | This paper reports a fully self-aligned process for mesa-type AlGaAs/GaAs HBT's. Some critical issues including ohmic contact metallization, selective etching of AlGaAs/GaAs and end-point control of reactive ion etching process have been investigated. |
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| Keywords: | HBT Self-Aligned structure Device icchnology |
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