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| Theoretical analysis of thermal-stress effect of HgCdTe infrared focal plane device induced by 10.6 μm laser | |
| 作者单位： | 脉冲功率激光技术国家重点实验室(电子工程学院),安徽合肥,230037 |
| 基金项目： | 国家"973"计划项目资助 |
| 摘 要： | 建立了HgCdTe红外焦平面器件的多膜层理论模型,利用有限元分析的方法,对10.6 μm激光辐照下HgCdTe红外焦平面器件的升温情况与热应力分布情况进行模拟,并通过参考已有文献的实验结果,验证了理论模型的合理性.理论分析结果表明:激光作用时探测器的温度场变化剧烈,200 W/cm2连续激光作用1 s后,HgCdTe感光层所受热应力为-986 MPa;脉宽100 ns,功率密度15 MW/cm2脉冲激光作用后,HgCdTe感光层所受热应力为-1300 MPa,都比器件制造过程中由于热失配而产生的热应力大；应力损伤发生的概率增大,可能比热损伤先发生,是HgCdTe红外焦平面器件激光损伤中的重要原因. |
| 关 键 词： | HgcdTe红外焦平面器件 热失配效应 激光热应力作用 有限元分析 |
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