| 采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器 |
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| 引用本文： | 马海峰,周锋. 采用自适应频率补偿的全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器[J]. 半导体学报, 2010, 31(1): 015006-6 |
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| 作者姓名： | 马海峰 周锋 |
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| 作者单位： | State;Laboratory;ASIC;System;Fudan;University; |
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| 基金项目： | supported by Shanghai-Applied Material Research Development Fund(No.09700714100). |
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| 摘 要： | 本文提出了一种全片上集成、面积优化的低压差线性稳压器（LDO）新结构。利用提出的自适应频率补偿（AFC）技术，该LDO在保持零到最大负载电流情况下稳定的同时，实现了全片上集成。与此同时，因为采用了一个小型的传输管（在AFC技术中该小型传输管起到使输出级增益快速下降的作用），LDO的面积得到了很大的优化。该LDO在CMOS 0.35μm工艺下流片，仅占用了220×320μm 的芯片面积。这与采用相同特征尺寸工艺的先进设计相比面积缩减至58%。测量结果表明，该LDO在消耗54μA 静态电流的情况下能提供0-60mA 的负载电流。同时，在输入电压为2至3.3V时，稳压输出为1.8V。
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| 关 键 词： | LDO稳压器 CMOS技术 频率补偿 占地面积 自适应 稳定性 大负载 低压差线性稳压器 |
| 收稿时间： | 2009-06-30 |
| 修稿时间： | 2009-08-30 |
Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequency compensation |
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| Ma Haifeng and Zhou Feng. Full on-chip and area-efficient CMOS LDO with zero to maximum load stability using adaptive frequency compensation[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2010, 31(1): 015006-6 |
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| Authors: | Ma Haifeng and Zhou Feng |
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| Affiliation: | State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China;State Key Laboratory of ASIC & System, Fudan University, Shanghai 201203, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | low-dropout regulator frequency compensation full on-chip system-on-chip |
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