生长在InP上的InAs量子点红外光电探测器

诸如量子阱红外光电探测器之类的子带问探测器在红外遥感中已得到广泛使用。经预测，量子点红外光电探测器的性能比量子阱红外光电探测器更好。美国西北大学的研究人员利用低压金属有机化学汽相淀积技术在InP衬底上生长了一种InAs量子点红外光电探测器。该器件结构由多个带有GaAs／AlInAs／InP热垒的InAs量子点叠层组成。其峰值波长和截止波长分别为6．4μm和6．6μm。在77K温度，当偏压为-1．1V时，该器件的探测率达到了1．0×10^10cm·Hz^1/2／W。