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联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响
引用本文:冒国兵,刘琪,敖建平.联氨对化学水浴沉积ZnS薄膜的影响[J].半导体光电,2007,28(5):671-675.
作者姓名:冒国兵  刘琪  敖建平
作者单位:安徽工程科技学院,机械工程系,安徽,芜湖,241000;南开大学,光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
基金项目:国家高技术研究发展计划(863计划) , 安徽省教育厅自然科学基金
摘    要:在A(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH)和含有联氨的B(ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH、(NH2)2)两种水溶液中采用化学水浴法沉积ZnS薄膜,研究了联氨对薄膜沉积过程和薄膜性质的影响.结果表明,加入少量联氨以后,薄膜沉积速度明显增加.两种溶液沉积的ZnS都为立方相结构,且含有联氨的B溶液沉积的ZnS薄膜表面附着颗粒较少.在含有联氨的B溶液中沉积的ZnS薄膜结晶度和短波区的透过率均高于A溶液沉积的ZnS薄膜.将两种溶液沉积的ZnS薄膜作为电池缓冲层制备铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳电池,加入联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率达到7.77%,比不加联氨沉积的ZnS制备的CIGS电池转换效率提高了1.3%.

关 键 词:联氨  ZnS薄膜  化学水浴沉积(CBD)  CIGS太阳电池
文章编号:1001-5868(2007)05-0671-05
修稿时间:2007-02-06

Influence of Hydrazine on the Properties of Chemical Bath Deposited ZnS Thin Films
MAO Guo-bing,LIU Qi,AO Jian-ping.Influence of Hydrazine on the Properties of Chemical Bath Deposited ZnS Thin Films[J].Semiconductor Optoelectronics,2007,28(5):671-675.
Authors:MAO Guo-bing  LIU Qi  AO Jian-ping
Affiliation:1. Department of Mechanical Engineering, Anhui University of Technology and Science, Wuhu 241000,CHN; 2. Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technique, Nankai University,Tianjin 300071 ,CHN
Abstract:
Keywords:hydrazine  ZnS thin film  CBD  CIGS solar cells
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