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| 3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算 | |
| 引用本文： | 霍海波,麻华丽,丁佩,曾凡光.3D基底上碳纳米管场发射I-V特性建模与计算[J].功能材料与器件学报,2013(2):49-53. |
| 作者姓名： | 霍海波 麻华丽 丁佩 曾凡光 |
| 作者单位： | 郑州航空工业管理学院数理系 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金项目(51072184,51002143);航空科学基金项目(2010ZF55013);河南省基础与前沿技术研究计划项目(092300410139);河南省教育厅自然科学基金项目(2011A140027) |
| 摘 要： | 利用有限元分析软件ANSYS分析了在平面上引入立体墙结构的阴极电场分布,给出了立体墙结构阴极表面的场强分布曲线,结合F-N方程计算了在立体结构上生长碳纳米管和平面型冷阴极上直接生长碳纳米管的电流密度,通过数值计算计算了总的场发射电流,结果表明,场发射电流随场强的变化非常大,立体墙结构型冷阴极场发射电流与平面型冷阴极发射电流相比,场发射能力得到极大的增强。 |
| 关 键 词： | 场发射 立体结构 有限元 |
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