| 衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响 |
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| 引用本文： | 张波,董显平,吴建生. 衬底温度对ITO和ITO:Zr薄膜性能的影响[J]. 真空科学与技术学报, 2008, 28(2): 164-168 |
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| 作者姓名： | 张波 董显平 吴建生 |
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| 作者单位： | 上海交通大学材料科学与工程学院教育部高温材料及测试重点实验室,上海,200240 |
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| 基金项目： | 上海市应用材料研究与发展基金 |
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| 摘 要： | 利用双靶共溅法在玻璃衬底上沉积了Zr掺杂ITO薄膜,对比研究了在不同衬底温度下ITO和ITOZr薄膜性能的变化.XRD和AFM分析表明,ITOZr比ITO薄膜具有更好的晶化程度和较低的表面粗糙度,Zr的掺入促进薄膜晶化的同时导致了(222)晶面向(400)晶面取向的转变.室温下Zr的掺杂显著改善了薄膜的光电性能,方阻由260.12 Ω降为91.65Ω,光学透过率也有所上升.随着温度的上升,方阻可达到10 Ω,薄膜也表现出明显的"B-M"效应,通过直接跃迁的模型得出ITOZr比ITO薄膜具有更宽的光学禁带.共溅法制备的ITOZr薄膜比传统的ITO薄膜展现了更好的综合性能.
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| 关 键 词： | ITO薄膜 掺杂 磁控溅射 衬底温度 衬底温度 薄膜性能 影响 Indium Tin Oxide Properties Substrate Temperature Influence 综合 法制 光学禁带 模型 直接跃迁 效应 表现 光学透过率 方阻 光电性能 改善 室温 转变 |
| 文章编号： | 1672-7126(2008)02-164-05 |
| 修稿时间： | 2007-06-25 |
Influence of Substrate Temperature on Properties of Indium Tin Oxide and Indium Tin Oxide:Zr Films |
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| Zhang Bo,Dong Xianping,Wu Jiansheng. Influence of Substrate Temperature on Properties of Indium Tin Oxide and Indium Tin Oxide:Zr Films[J]. JOurnal of Vacuum Science and Technology, 2008, 28(2): 164-168 |
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| Authors: | Zhang Bo Dong Xianping Wu Jiansheng |
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