| 注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应 |
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| 引用本文： | 李新,刘沁.注氧隔离技术SOI晶圆材料高温压阻效应[J].仪表技术与传感器,2011(6). |
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| 作者姓名： | 李新 刘沁 |
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| 作者单位： | 1. 沈阳工业大学信息科学与工程学院,辽宁,沈阳,110178
2. 沈阳仪表科学研究院,辽宁,沈阳,110043 |
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| 基金项目： | 辽宁省自然基金项目，辽宁省微纳米技术及系统重点实验室、微系统与微制造辽宁省高校重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 针对注氧隔离技术制备的SOI晶圆顶层硅材料的高温压阻效应,设计并制作研究压阻效应的实验装置与测试样品,在高温条件下,利用悬臂梁结构研究SOI晶圆顶层硅的压阻效应.研究结果表明:在一定的掺杂浓度条件下,硅110]晶向上的纵向压阻系数随温度的升高而减小,横向压阻系数随温度的升高变化不大.在300℃条件下,硅110]晶向具有较大的纵向压阻系数和横向阻系数,且性能稳定,适于高温压阻式压力传感器的制作.
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| 关 键 词： | 压阻效应 注氧隔离 高温 |
High Temperature Piezoresistive Effect of SIMOX SOI Wafer |
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| LI Xin,LIU Qin.High Temperature Piezoresistive Effect of SIMOX SOI Wafer[J].Instrument Technique and Sensor,2011(6). |
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| Authors: | LI Xin LIU Qin |
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| Affiliation: | LI Xin1,LIU Qin2(1.Shenyang University of Technology,Shenyang 110023,China,2.Shenyang Academy of Instrument Science,Shenyang 110043,China) |
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| Abstract: | High temperature piezoresistive effect of separation by implantation of oxygen SOI wafer was investigated.The experimental setup and samples were designed and fabricated.Under high temperature conditions,piezoresistive effect of SOI wafer top layer silicon was analyzed with the cantilever structure.The results show that under the certain doping concentration condition,the longitudinal piezoresistive coefficient of crystal direction silicon decreases with temperature,transverse piezoresistive coefficient les... |
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| Keywords: | piezoresistive effect separation by implantation of oxygen high temperature |
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