电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展 |
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引用本文: | 郑瑞剑,魏鑫,张浩,汤志桓,许海仙,崔嵩,李京伟,汤文明.电子封装用高导热AlN陶瓷基板研究进展[J].中国陶瓷,2023(5):1-14+49. |
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作者姓名: | 郑瑞剑 魏鑫 张浩 汤志桓 许海仙 崔嵩 李京伟 汤文明 |
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作者单位: | 1. 合肥工业大学材料科学与工程学院;2. 合肥圣达电子科技实业有限公司;3. 中国电子科技集团公司第43研究所;4. 微系统安徽省重点实验室 |
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基金项目: | 安徽省重点研发与开发计划(No.202004a05020022);;安徽省科技重大专项(No.202003a05020006); |
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摘 要: | 高导热AlN陶瓷是新型功率电子器件重要的基板材料,在5G通讯、微波TR组件、IGBT模块等高端电子器件领域具有广泛的应用。综述了国内外电子封装用高导热AlN陶瓷基板及其制备技术的研究进展。探讨了晶格氧、非晶层、AlN晶粒尺寸、晶界相及气孔等微结构因素对AlN陶瓷热导率的影响。提出选用高纯超细AlN粉体原料,合理选取烧结助剂的类型与添加量,优化排胶、高温烧结与热处理工艺是改善AlN陶瓷结构,实现AlN陶瓷热导率提升的有效途径。
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关 键 词: | 电子封装 AlN陶瓷基板 热导率 显微结构 制备技术 |
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