多功能电子信息材料MoS2的制备及其催化性能研究

半导体材料作为电子信息材料的一种，因具有较宽的禁带宽度和高的载流子迁移率成为了人们关注的热点材料之一。通过水热法制备了不同质量分数Ag掺杂(0,1%,3%,5%,7%)的MoS₂复合材料，采用XRD、SEM、UV-Vis、FT-IR、Raman和催化性能分析等手段对Ag掺杂MoS₂复合材料的晶体结构、微观形貌、光谱性能和催化性能进行了测试与表征。结果表明，水热法合成了单一相的六方晶系MoS₂,Ag成功掺杂到了MoS₂中。Ag掺杂的MoS₂复合材料为纳米片堆积形成的圆球状结构，Ag掺杂增大了MoS₂纳米球的直径，尺寸在300～350 nm之间。Ag的掺杂诱导了MoS₂的晶型从2H-MoS₂相结构向1T-MoS₂相结构转变，1T-MoS₂相结构的晶型含量增加。MoS₂复合材料对于可见光和紫外光的吸收能力增强，5%(质量分数)Ag掺杂的MoS_2...