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Co、Sm共掺杂PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结与电性能研究
引用本文:谢义磊,石棋,胡学兵,何中睿,洪顺球.Co、Sm共掺杂PZN-PZT压电陶瓷的低温烧结与电性能研究[J].中国陶瓷,2023(8):30-34.
作者姓名:谢义磊  石棋  胡学兵  何中睿  洪顺球
作者单位:1. 景德镇陶瓷大学;2. 景德镇市鑫惠康电子有限责任公司
摘    要:试验采用传统固相法,成功制备出Co、Sm共掺杂的Pb0.95Ba0.05(Zn1/3Nb2/3)0.2(Zr0.52Ti0.48)0.8O3+0.6mol%Co2O3+0.04mol%Sm2O3三元系压电陶瓷。研究分析了不同烧成温度下PZN-PZT压电陶瓷材料的压电性能、介电性能、相组成及其微观结构。结果显示,Co、Sm共掺杂不仅改善了PZN-PZT的压电、介电综合性能:d33=301 p C/N,Kp=0.72,εr=1486.46,tanδ=0.11%,Qm=515,而且将材料的烧成温度降低到950℃。

关 键 词:Co、Sm共掺杂  PZN-PZT压电陶瓷材料  低温烧结  压电性能
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