| Cu2O/CeO2异质结的制备与光电化学性能研究 |
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| 引用本文： | 胡栋,黄鹏达,赵庆江,李天保,许并社.Cu2O/CeO2异质结的制备与光电化学性能研究[J].功能材料,2023(6):6111-6120. |
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| 作者姓名： | 胡栋 黄鹏达 赵庆江 李天保 许并社 |
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| 作者单位： | 1. 太原理工大学材料科学与工程学院;2. 太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室 |
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| 摘 要： | 通过电化学法在铜片表面生长Cu(OH)2纳米线阵列，在氮气氛围下将其进行退火处理得到Cu2O纳米线阵列，然后采用电沉积法在电极上沉积Cu2O阻挡层和CeO2,制备得到Cu2O/CeO2异质结光阴极材料。利于扫描电子显微镜(SEM)、X-射线衍射(XRD)和X-射线光电子能谱(XPS)对材料的形貌和化学成分等进行表征，紫外-可见吸收光谱(UV-Vis)、线性扫描伏安法(LSV)和莫特肖特基曲线(M-S)等测试对其光电化学性能进行分析。实验数据结果表明，在0 V、RHE(可逆氢电极)下，Cu2O/CeO2光阴极的光电流密度达到-6.55 mA/cm2,相比仅Cu2O的光电流密度(-3.67 mA/cm2)提升了1.78倍。随后，通过ALD(原子层沉积)制备TiO2作为保护层，负载Pt作为析氢反应(HER)的助催化剂。最终Cu
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| 关 键 词： | Cu2O 光阴极 光电流密度 应用偏压光子-电流效率 光电化学水分解 |
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