| a-Si(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的AFORS-HET模拟优化 |
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| 引用本文： | 卢超,丁建宁,程广贵,郭立强,林爱国.a-Si(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的AFORS-HET模拟优化[J].电源技术,2013,37(5). |
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| 作者姓名： | 卢超 丁建宁 程广贵 郭立强 林爱国 |
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| 作者单位： | 1. 江苏大学微纳米研究中心,江苏镇江,212013
2. 江苏大学微纳米研究中心,江苏镇江212013;常州大学低维材料微纳器件与系统研究中心,江苏常州213164 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金项目，江苏省教育厅高校自然科学项目，江苏省普通高校研究生科技创新计划项目 |
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| 摘 要： | 采用限定变量的方法,运用AFORS-HET(Automat FOR Simulation of HETerostructures)软件计算模拟了不同厚度、掺杂浓度和禁带宽度的非晶硅薄膜背场以及不同厚度、禁带宽度的非晶硅本征层对a-Si(p)/c-Si(n)异质结太阳电池的影响.结果表明,在其它参数不变的情况下,增加较薄的背场和中间本征层,可以提高太阳电池的整体性能,其光电转换有很大程度提高,其最高转换效率可达20.75％；其中,中间本征层在厚度不超过20 nm时,对电池的短路电流影响不大,而其它性能则相对下降；当非晶硅薄膜背场的掺杂浓度为1019 cm-3以上,带隙为1.7 eV,厚度为5 nm时,电池性能最佳.
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| 关 键 词： | 异质结 AFORS-HET 背场 缓冲层 |
Simulation of a-Si(p)/c-Si(n) heterojunction solar cells with AFORS-HET |
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| LU Chao
,
DING Jian-ning
,
CHENG Guang-gui
,
GUO Li-qiang
,
LIN Ai-guo.Simulation of a-Si(p)/c-Si(n) heterojunction solar cells with AFORS-HET[J].Chinese Journal of Power Sources,2013,37(5). |
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| Authors: | LU Chao DING Jian-ning CHENG Guang-gui GUO Li-qiang LIN Ai-guo |
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