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| 硅膜厚度对SOI栅控混合管性能的影响 | |
| 作者姓名： | 黄如 王阳元 |
| 作者单位： | 北京大学微电子所!北京100871 |
| 摘 要： | 本文分析了ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）栅控混合管（ＧＣＨＴ）中硅膜厚度对器件短沟道效应、阈值电压、亚阈斜率、零栅压电流的影响，讨论了结构参数、工艺参数对硅膜厚度作用的影响．研究表明，与常规ＳＯＩＭＯＳ器件相比，ＳＯＩ栅控混合管具有较低的硅膜厚度灵敏度，改善了深亚微米常规ＳＯＩＭＯＳ器件由于硅膜厚度的影响而性能下降的问题，以独特的工作方式为深亚微米器件的发展提供了新思路 |
| 关 键 词： | SOI 栅控混合管 GCHT 硅膜厚度 |
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