| Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究 |
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| 引用本文： | 王华. Bi4Ti3O12薄膜的取向生长及其电性能研究[J]. 无机材料学报, 2004, 19(5): 1093-1098 |
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| 作者姓名： | 王华 |
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| 作者单位： | 桂林电子工业学院通信与信息工程系,桂林,541004 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(50262001); 广西科学基金(0236062) |
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| 摘 要： | 采用Sol—Gel工艺，在快速退火的工艺条件下制备了Bi4Ti3O12铁电薄膜，研究了退火温度及时间、薄膜厚度对Bi4Ti3O12薄膜的取向生长行为及其铁电性能、漏电流的影响，探讨了Bi4Ti3O12薄膜取向生长的微观机制．结果表明：退火温度显著影响薄膜的C轴取向生长，其(00ι)品面的取向度F=(P—P0)／(1-P0)由550℃的0．081增加到850℃的0．827，退火时间对其(00ι)晶面的取向度也有较大影响；经750℃以上温度退火处理的Bi4Ti3O12薄膜呈高度c轴取向，对铁电性能有较明显的削弱作用；薄膜的漏电流密度随退火温度升高而增大，但薄膜的c轴取向生长有利于减缓漏电流密度的增长。
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| 关 键 词： | 铁电薄膜 Bi4Ti3O12 生长取向 电性能 |
| 文章编号： | 1000-324X(2004)05-1093-06 |
| 收稿时间： | 2003-09-12 |
| 修稿时间： | 2003-10-27 |
c-axis Oriented Growth and Electrical Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on p-Si |
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| WANG Hua. c-axis Oriented Growth and Electrical Properties of Bi4Ti3O12 Thin Films Deposited on p-Si[J]. Journal of Inorganic Materials, 2004, 19(5): 1093-1098 |
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| Authors: | WANG Hua |
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| Affiliation: | DepartmentofCommunicationandInformationEngineering;GuilinUniversityofElectronicTechnology;Guilin541004;China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ferroelectric thin films Bi4Ti3O12 oriented growth sol-gel technique |
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