| 具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管 |
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| 引用本文： | 顾宇强,谭明,吴渊渊,卢建娅,李雪飞,陆书龙. 具有优化倍增层InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管[J]. 红外与毫米波学报, 2021, 40(6): 715-720 |
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| 作者姓名： | 顾宇强 谭明 吴渊渊 卢建娅 李雪飞 陆书龙 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学 纳米技术与纳米仿生学院,安徽合肥230026;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123 |
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| 基金项目： | Supported by the National High Technology Research and Development Program of China （2018YFB2003305）， the Key R&D Program of Jiangsu Province （ BE2018005）， the Science and Technology Service Network Initiative of the Chinese Academy of Sciences （KFJ-STS-ZDTP-086）， the Support From SINANO （Y8AAQ11003）， Natural Science Foundation of Jiangsu Province （BK20180252）Foundation items：GU Yu-Qiang（1995-），male， Taizhou China. Master， Research area focus on performance simulation and process preparation of avalanche photodiode. E-mail：yqgu2019@sinano.ac.cn |
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| 摘 要： | 通过优化倍增层的厚度，研究了InAlAs/InGaAs雪崩光电二极管增益带宽积和暗电流之间的关系。利用仿真计算得出200 nm厚的倍增层能够改善增益带宽积并降低暗电流。制成的InAlAs/InGaAs 雪崩光电二极管性能优异，与计算趋势一致。在获得0.85 A/W的高响应和155 GHz的增益带宽积的同时，器件暗电流低于19 nA。这项研究对雪崩光电二极管在未来高速传输的应用具有重要意义。
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| 关 键 词： | 雪崩光电二极管 增益带宽积 暗电流 |
| 收稿时间： | 2021-03-04 |
| 修稿时间： | 2021-12-01 |
InAlAs/InGaAs avalanche photodiode with an optimized multiplication layer |
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| GU Yu-Qiang,TAN Ming,WU Yuan-Yuan,LU Jian-Y,LI Xue-Fei and LU Shu-Long. InAlAs/InGaAs avalanche photodiode with an optimized multiplication layer[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2021, 40(6): 715-720 |
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| Authors: | GU Yu-Qiang TAN Ming WU Yuan-Yuan LU Jian-Y LI Xue-Fei LU Shu-Long |
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