| MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术 |
| |
| 引用本文： | 袁国火,徐曦,董秀成. MTM反熔丝FPGA总剂量及加固技术[J]. 核电子学与探测技术, 2007, 27(1): 147-149 |
| |
| 作者姓名： | 袁国火 徐曦 董秀成 |
| |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900;西华大学电气信息学院,成都,610039;中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900;西华大学电气信息学院,成都,610039 |
| |
| 摘 要： | 以ONO和MTM反熔丝具有代表性的FPGA总剂量效应比较。实验得到ONO反熔丝0．6μm工艺A1280XL无偏置时FPGA失效阈最大为33．2Gy，而MTM（Metal-To-Metal）反熔丝0．6和0．25pm工艺RTS4SX的总剂量效应，器件表现出好于1000Gy的总剂量能力。从而比较得出MTM反熔丝工艺结构芯片具有很好的抗总剂量能力。
|
| 关 键 词： | ONO MTM 反熔丝 总剂量 |
| 文章编号： | 0258-0934(2007)01-0147-03 |
| 修稿时间： | 2005-11-03 |
Total ionizing dose and hardening techniques of MTM antifuse FPGAs |
| |
| YUAN Guo-huo,XU Xi,DONG Xiu-cheng. Total ionizing dose and hardening techniques of MTM antifuse FPGAs[J]. Nuclear Electronics & Detection Technology, 2007, 27(1): 147-149 |
| |
| Authors: | YUAN Guo-huo XU Xi DONG Xiu-cheng |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ONO MTM antifuse total ionizing dose |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
