| 一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关 |
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| 引用本文： | 胡光伟,刘泽文,侯智昊,李志坚. 一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关[J]. 传感技术学报, 2008, 21(4): 656-659 |
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| 作者姓名： | 胡光伟 刘泽文 侯智昊 李志坚 |
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| 作者单位： | 清华大学微电子学研究所,北京,100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，北京市科委科研项目 |
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| 摘 要： | 设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。
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| 关 键 词： | RF MEMS 开关 单刀多掷 接触式 |
| 文章编号： | 1004-1699(2008)04-0656-04 |
| 修稿时间： | 2007-09-30 |
P4T RF MEMS Switch with Low Actuation Voltage |
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| HU Guangwei,LIU Zewen,HOU Zhihao,LI Zhijian. P4T RF MEMS Switch with Low Actuation Voltage[J]. Journal of Transduction Technology, 2008, 21(4): 656-659 |
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| Authors: | HU Guangwei LIU Zewen HOU Zhihao LI Zhijian |
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| Affiliation: | Institute of Microelectronics, Tsinghua University |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | RF MEMS switch SPMT contact |
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