| 掺杂离子对O_3气敏元件的性能改善 |
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| 引用本文： | 邓永和,唐世洪,谭子尤,张勇华,梁平原,曾庆立.掺杂离子对O_3气敏元件的性能改善[J].电子与封装,2002,2(1):34-37. |
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| 作者姓名： | 邓永和 唐世洪 谭子尤 张勇华 梁平原 曾庆立 |
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| 作者单位： | 吉首大学物理与电子工程系,湖南,吉首,416000 |
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| 摘 要： | 在 WO_3中掺入杂质离子,制成傍热式厚膜元件,结合开温脱附(TPD)和半导体分析,研究了掺杂离子对元件性能的影响。
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| 关 键 词： | 掺杂离子 O_3气敏元件 影响 |
| 修稿时间： | 2001年10月29 |
The Effect to Properties of O3 Sensors on Doping Ion |
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| Abstract: | This paper,heating type gas sensers had been made using doping ion and WO_3 semiconductor thick film.Combining TPD and semiconductor analysis,studied the effect to characteristic of O_3 Sensors. |
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| Keywords: | Doping Lon O_3 Sensors Effect |
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