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| 超薄GaInP/GaInAs/Ge太阳电池研究 | |
| 作者姓名： | 高伟 张宝 薛超 高鹏 王保民 |
| 作者单位： | 中国电子科技集团公司第十八研究所; |
| 摘 要： | 通过特殊的MOCVD技术和器件工艺,应用超薄衬底和对正常衬底的减薄两种方法,成功地制作出了80 mm厚的超薄GaInP/GaInAs/Ge结构的太阳电池。对太阳电池进行了相关的测试,并对实验结果进行了分析和讨论。 |
| 关 键 词： | MOCVD技术 器件工艺 GaInP/GaInAs/Ge太阳电池 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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