| 19WC-波段MMIC多芯片合成功率放大器 |
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| 引用本文： | 陈堂胜,沈亚,李拂晓,陈效建.19WC-波段MMIC多芯片合成功率放大器[J].固体电子学研究与进展,2001,21(1):5-9. |
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| 作者姓名： | 陈堂胜 沈亚 李拂晓 陈效建 |
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| 作者单位： | 南京电子器件研究所，210016 |
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| 摘 要： | 报告了一个两级 C-波段功率单片电路的设计、制作和性能 ,该单片电路包括完全的输入端和级间匹配 ,输出端的匹配在芯片外实现 ,该放大器在 5.2～ 5.8GHz带内连续波工作 ,输出功率大于 36.6d Bm,功率增益大于 18.6d B,功率附加效率 34 % ,4芯片合成的功率放大器在 4 .7～ 5.3GHz带内 ,输出功率大于 4 2 .8d Bm( 19.0 W) ,功率增益大于 18.8d B,典型的功率附加效率为 34 %。
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| 关 键 词： | C-波段 微波单片集成电路 多芯片合成 功率放大器 |
| 文章编号： | 1000-3819（2001）01-0005-05 |
| 修稿时间： | 2000年3月9日 |
A 19 W C-band MMIC Multichip Combined Power Amplifier |
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| CHEN Tangsheng.A 19 W C-band MMIC Multichip Combined Power Amplifier[J].Research & Progress of Solid State Electronics,2001,21(1):5-9. |
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| Authors: | CHEN Tangsheng |
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| Abstract: | The design， fabrication and performance of a two-stage C-bandpower microwave monolithic integrated circuit（MMIC） is reported in this paper． The MMIC contains full input and interstage matching． The matching at the output is realized by using off-chip circuitry． With a CW signal applied， the amplifier delivers more than 36．6 dBm output power with 18．6 dB gain and 34％ power added efficiency （PAE） across the band of 5．2～5．8 GHz． A 4-chip combined power amplifier demonstrates output power of more than 42．8 dBm（19W） with 18．8 dBm gain over the band of 4．7～5．3 GHz， and the typical PAE is 34％． |
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| Keywords: | C band MMIC multichip combination power amplifier |
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