| 循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响 |
| |
| 引用本文： | 孙明霞,钟朝位,张树人,张万里,陈祝,郑泽渔. 循环间歇溅射工艺对PLT薄膜性能的影响[J]. 压电与声光, 2006, 28(1): 82-84 |
| |
| 作者姓名： | 孙明霞 钟朝位 张树人 张万里 陈祝 郑泽渔 |
| |
| 作者单位： | 电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
| |
| 摘 要： | 采用射频磁控溅射技术利用循环间歇溅射工艺,在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了镧钛酸铅(PLT)薄膜。通过原子力显微镜、X-射线衍射仪分析了循环间歇溅射工艺对薄膜形貌、结构和铁电性能的影响。实验结果表明,相比于连续溅射工艺,循环间歇溅射工艺的基片温度较低,且制得的PLT薄膜晶粒细小、均匀,结构致密。薄膜具有纯钙钛矿型结构,循环次数从1次增加到3次,其(100)和(200)峰衍射强度逐渐增强,结晶性提高,铁电性能逐渐增强,其饱和极化强度由28μC/cm2增大到53μC/cm2,剩余极化强度由5μC/cm2增大到12μC/cm2。循环4次溅射后,薄膜的结晶性和铁电性开始下降。
|
| 关 键 词： | 射频磁控溅射 循环间歇溅射 镧钛酸铅薄膜 铁电性能 |
| 文章编号： | 1004-2474(2006)01-0082-03 |
| 收稿时间： | 2005-08-10 |
| 修稿时间： | 2005-08-10 |
Effect of Circular Intermittent Deposition on the Morphologies, Microstructures and Properties of PLT Thin Films |
| |
| SUN Ming-xia,ZHONG Chao-wei,ZHANG Shu-ren,ZHANG Wan-li,CHEN Zhu,ZHENG Ze-yu. Effect of Circular Intermittent Deposition on the Morphologies, Microstructures and Properties of PLT Thin Films[J]. Piezoelectrics & Acoustooptics, 2006, 28(1): 82-84 |
| |
| Authors: | SUN Ming-xia ZHONG Chao-wei ZHANG Shu-ren ZHANG Wan-li CHEN Zhu ZHENG Ze-yu |
| |
| Affiliation: | School of Microelectronics and Solid State Electronics, University of Electronic Science and Technology, Chengdu 610054, China |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | RF magnetron sputtering circle intermittent deposition PLT films ferroelectricity |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
